Рейтинг@Mail.ru
Индексы АТР преимущественно снижаются после заявлений ФРС США - 29.10.2015, ПРАЙМ
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Индексы АТР преимущественно снижаются после заявлений ФРС США

Читать Прайм в
Дзен Telegram

МОСКВА, 29 окт - ПРАЙМ. Фондовые площадки Азиатско-Тихоокеанского региона (АТР) демонстрируют преимущественно отрицательную динамику в четверг после того, как ФРС США не исключила возможного повышения базовой ставки в декабре, свидетельствуют данные бирж.

По состоянию на 07.38 мск индекс Шанхайской фондовой биржи Shanghai Compsite поднимался на 0,12% - до 3379,38 пункта. Индекс шэньчжэньской биржи Shenzhen Composite рос на 0,08%, до 2000,05 пункта. Гонконгский Hang Seng Index опускался на 0,38%, до 22869,14 пункта.

Австралийский индекс S&P/ASX 200 уменьшался на 1,35%, достигая 5263,3 пункта. Корейский KOSPI опускался на 0,39%, достигая 2034,27 пункта. Японский Nikkei 225 снижался на 0,39%, до 18830,29 пункта.

Комитет по открытым рынкам ФРС США в среду, как и ожидалось, сохранил ставку на рекордно низком уровне 0-0,25%. При этом регулятор не исключил возможного повышения ставки на следующем заседании в декабре текущего года, что будет зависеть от показателей занятости и инфляции.

"Чем раньше они предпримут данный шаг, тем быстрее рынки получат ясность и обретут уверенность. Тема сроков повышения ставки несет с собой неопределенность", - приводит агентство Рейтер слова главы TD Ameritrade Asia Криса Бранкина (Chris Brankin).

Также участники торгов обратили внимание на корпоративные новости. В частности, южнокорейский производители электроники Samsung Electronics сообщил о том, что чистая прибыль в третьем квартале 2015 года увеличилась на 29% по сравнению с аналогичным периодом 2014 года и составила 5,46 триллиона вон (4,9 миллиарда долларов).

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала