Рейтинг@Mail.ru
Биржи АТР растут на оптимизме из США - 04.02.2019, ПРАЙМ
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Биржи АТР растут на оптимизме из США

Читать Прайм в
Дзен Telegram

МОСКВА, 4 фев — ПРАЙМ. Основные фондовые индексы Азиатско-Тихоокеанского региона (АТР) растут в понедельник, отыгрывая пятничный позитив с Уолл-стрит, свидетельствуют данные торгов.

По состоянию на 7.50 мск гонконгский индекс Hang Seng Index рос на 0,08% — до 27954,08 пункта, японский Nikkei 225 на 0,38% — до 20867,7 пункта, австралийский S&P/ASX 200 — на 0,4% до 5886 пунктов.

Биржи Китая и Южной Кореи закрыты в понедельник в связи с национальными праздниками. По итогам пятницы индекс Шанхайской фондовой биржи Shanghai Composite вырос на 1,3% — до 2618,23 пункта, индекс Шэньчжэньской биржи Shenzhen Composite — на 2,77%, до 1309,99 пункта, а южнокорейский KOSPI опустился на 0,06% — до 2203,46 пункта.

Основные фондовые индексы США завершили пятницу преимущественно в плюсе на фоне данных по безработице в стране и отчетностей компаний. По данным министерства труда США, безработица в стране в январе выросла до 4% с уровня декабря в 3,9%, но число рабочих мест в несельскохозяйственных отраслях экономики увеличилось на 304 тысячи. Эксперты ждали сохранения безработицы на уровне 3,9% и роста числа рабочих мест лишь на 165 тысяч.

"Ключевым моментом для рынков на этой неделе будут корпоративные отчетности американских компаний, которые еще не отчитались, и то, насколько они соответствуют последним оптимистичным статданным", — приводит агентство Рейтер мнение старшего валютного стратега IG Securities Юничи Исикавы (Junichi Ishikawa).

В то же время на текущей неделе на рынках Азии ожидается пониженный объем торгов, — ряд рынков региона будут закрыты в связи с празднованием Нового года по лунному календарю.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала