Рейтинг@Mail.ru
Биржи АТР закрылись в основном ростом вслед за рынками США - 04.08.2020, ПРАЙМ
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Биржи АТР закрылись в основном ростом вслед за рынками США

© AFP / Toru Yamanaka%Табло Токийской фондовой биржи
%Табло Токийской фондовой биржи
Читать Прайм в
Дзен Telegram

 

МОСКВА, 4 авг — ПРАЙМ. Основные фондовые рынки Азиатско-Тихоокеанского региона (АТР) во вторник завершили торги преимущественно в плюсе на фоне подъема на американских биржах днем ранее, свидетельствуют данные торгов.

По итогам торгов индекс Шанхайской фондовой биржи Shanghai Composite вырос на 0,1% — до 3371,69 пункта, Шэньчжэньской биржи Shenzhen Composite — снизился на 0,7%, до 2300,5 пункта, гонконгский Hang Seng Index — поднялся на 2%, до 24946,63 пункта. Южнокорейский KOSPI вырос на 1,29% — до 2279,97 пункта, австралийский S&P/ASX 200 — на 1,88%, до 6037,6 пункта, японский Nikkei 225 прибавил 1,7% — до 22573,66 пункта.

Трейдеры в Азии обратили внимание на динамику фондовых рынков США, которые закрылись ростом в пределах 1,5%, при этом индекс NASDAQ после двухнедельного перерыва снова обновил исторический рекорд.

Кроме того, как отмечают аналитики, дополнительную поддержку рынкам Японии оказала коррекция после снижения бирж ранее. "После недавнего спада на рынке отмечалась масштабная фиксация прибыли. В то же время трейдеры сохраняли осторожность из-за обеспокоенности влиянием пандемии коронавируса на национальный бизнес", — цитирует агентство Франс Пресс мнение старшего менеджера Chibagin Asset Management Ёсихиро Окумура (Yoshihiro Okumura).

Инвесторы также обратили внимание на решение центробанка Австралии, который сохранил базовую ставку на уровне 0,25%, что совпало с прогнозами аналитиков. Ставка находится на данной отметке с марта текущего года.

 

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала