WETTENBERG, Германия, 24 сентября 2013 г. /PRNewswire/
- SiC для высокопроизводительной силовой электроники
- Успешное использование в промышленном производстве
- Высокая степень автоматизации для массового производства
- Низкие эксплуатационные затраты
SiC для высокопроизводительной силовой электроники
Кристаллы карбида кремния SiC необходимы в первую очередь производителям , работающим на рынках высокотехнологичной продукции. Типичная область их применения - высокопроизводительная силовая электроника, которая используется, например, в производстве гибридных автомобилей и электромобилей, систем кондиционирования воздуха, светодиодных устройств и преобразователей тока для фотовольтаики. Основное преимущество карбида кремния заключается в его невероятных возможностях энергосбережения - более 40% по сравнению с обычно применяемыми кремниевыми элементами. Кроме того, в будущем открываются совершенно новые перспективы для полупроводниковой отрасли, благодаря возможности использования этого материала при высоких температурах и напряжениях свыше 10 000 вольт, что существенно превышает потенциал используемого в настоящее время кремния.
Модульная структура и высокая степень автоматизации
Архитектура принципиально новой ростовой системы «baSiC-T» основана на модульном принципе и позволяет использование затравок диаметром до 150 мм. Низкий уровень эксплуатационных затрат и высокая степень автоматизации, заложенные в системе baSiC-T, обеспечивают возможность налаживания массового, не требующего больших затрат производства карбида кремния.
Успешное использование в промышленном производстве
Системы для роста кристаллов карбида кремния уже поставлены ряду клиентов в Европе и Азии и успешно прошли приемочные испытания, доказавшие их исключительную эффективность.
Подробную информацию о системе baSiC-T можно найти по следующей ссылке:
http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/sic-(htcvd-htcvt)/typ-basic-t
Деятельность компании PVA TePla в области силовой электроники
Помимо системы baSiC-T, в сфере силовой электроники уже используется ряд других систем, созданных компанией PVA TePla. Установка SiCube представляет собой систему, опробованную индустрией на применимость для производства объемных кристаллов карбида кремния методами сублимационного роста (PVT) и высокотемпературного химического парофазного осаждения (HTCVD). Наши системы зонной плавки(FZ35) и установки Чохральского (системы EKZ) используются для кристаллизации кремния высокой чистоты. Очистка графитовых частей (сусцепторов), для их дальнейшего применения после использования в процессах эпитаксии нитрида галлия GaN, производится в специальных вакуумных печах компании PVA TePla. Кроме того, компанией предлагаются различные инновационные метрологические средства и технологии для проведения неразрушающего контроля качества.
Для получения подробной информации обращайтесь к контактному лицу:
Д-р Герт Физан (Gert Fisahn)
Отдел взаимоотношений с инвесторами
PVA TePla AG
Телефон: +49(0)641/68690-400
gert.fisahn@pvatepla.com
http://www.pvatepla.com
Источник: PVA TePla AG
