Рейтинг@Mail.ru
ЕАЭС и Индия подписали заявление о начале переговоров по заключению соглашения ЗСТ - 03.06.2017, ПРАЙМ
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
%АналитикаЭкономика

ЕАЭС и Индия подписали заявление о начале переговоров по заключению соглашения ЗСТ

Читать Прайм в
Дзен Telegram

С.-ПЕТЕРБУРГ, 3 июн - ПРАЙМ. Евразийский экономический союз (ЕАЭС) и Индия подписали заявление о начале переговоров по заключению соглашения о зоне свободной торговли, передает корреспондент РИА Новости.

Заявление было подписано в рамках ПМЭФ-2017 министром по торговле Евразийской экономической комиссии (ЕЭК) Вероникой Никишиной и министром промышленности и торговли Индии Нирмалой Ситхараман.

"Мы находимся в самом начале этого пути. Обычно такие сложные переговоры ведутся несколько лет. Поэтому мы не знаем, когда они завершатся. Но мы будет пытаться, чтобы это было сделано в разумные сроки. Срок в два-три года будет очень успешным результатом", - сказала РИА Новости Никишина.

Ранее она сообщила, что суммарный прирост ВВП стран ЕАЭС от заключения соглашения о зоне свободной торговли с Индией в долгосрочной перспективе может достичь 2,7 миллиарда долларов, а в краткосрочной — до 1,5 миллиарда.

ЕАЭС - международное интеграционное экономическое объединение, созданное на базе Таможенного союза и Единого экономического пространства и функционирующее с 1 января 2015 года. Сейчас членами ЕАЭС являются Россия, Армения, Белоруссия, Казахстан и Киргизия. В данный момент ЕАЭС имеет действующее соглашение о свободной торговле лишь с Вьетнамом.

Петербургский международный экономический форум, ставший ведущей мировой площадкой для общения деловых кругов и обсуждения ключевых экономических вопросов, в этом году проходит 1-3 июня. МИА "Россия сегодня" выступает информационным партнером форума.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала