Рейтинг@Mail.ru
Трутнев: Соглашения более чем на 2 трлн руб планируется подписать на ВЭФ-2017 - 27.08.2017, ПРАЙМ
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
%АналитикаЭкономика

Трутнев: Соглашения более чем на 2 трлн руб планируется подписать на ВЭФ-2017

© РИА Новости . Евгений Биятов | Перейти в медиабанк#Логотип Восточного экономического форума на территории Дальневосточного федерального университета на острове Русский во Владивостоке
#Логотип Восточного экономического форума на территории Дальневосточного федерального университета на острове Русский во Владивостоке
Читать Прайм в
Дзен Telegram

МОСКВА, 27 авг - ПРАЙМ. Соглашения на сумму свыше двух триллионов рублей планируется подписать на III Восточном экономическом форуме (ВЭФ-2017) в сентябре, сообщил вице-премьер - полпред президента РФ в Дальневосточном федеральном округе Юрий Трутнев.

"В этом году надеемся выйти за два триллиона рублей подписанных соглашений. По крайней мере так считают специалисты", - сказал Трутнев в интервью "Российской газете".

"По предыдущим форумам подписывались соглашения на такие фантастические цифры, что на нас смотрели с откровенным недоверием и опаской - какие там триллионы, вы с ума сошли что ли? Было 1,3 триллиона рублей на первом форуме, 1,8 триллиона на втором", - добавил Трутнев, уточнив, что многие проекты, соглашения по которым подписывались, находятся в процессе строительства или уже вводятся в эксплуатацию, как, например, Амурский газоперерабатывающий завод.

Восточный экономический форум учрежден указом президента РФ Владимира Путина. В 2016 году форум собрал 4,6 тысячи представителей бизнеса, экспертного и научного сообщества, общественности из 56 стран мира. Во время форума было подписано 216 соглашений на 1,85 триллиона рублей. Третий ВЭФ пройдет во Владивостоке 6-7 сентября.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала