Samsung представил чип с высокой емкостью памяти для ИИ
Samsung представил чип с высокой емкостью памяти для ИИ - 27.02.2024, ПРАЙМ
Samsung представил чип с высокой емкостью памяти для ИИ
Samsung представил новую интегральную микросхему (чип) HBM3E с самым большим объемом емкости памяти в отрасли - в 36 гигабайтов, подходящий для работы с... | 27.02.2024, ПРАЙМ
МОСКВА, 27 фев - РИА Новости. Samsung представил новую интегральную микросхему (чип) HBM3E с самым большим объемом емкости памяти в отрасли - в 36 гигабайтов, подходящий для работы с искусственным интеллектом, сообщается в пресс-релизе на официальном сайте компании. "Компания Samsung представила новый 36-гигабайтный, 12-слойный чип HBM3E самой высокой емкости для искусственного интеллекта", - говорится в сообщении. Компания уточняет, что первая 12-слойная компоновка сегмента памяти повышает производительность и пропускную способность более чем на 50% относительно существующих сейчас 8-слойных и обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 гигабайтов в секунду. По оценкам, при использовании такого чипа для мобильных приложений на базе искусственного интеллекта средняя скорость обучения может быть увеличена на 34%, а количество одновременно обращающихся к этим системам пользователей - более чем в 11,5 раз. Массовое производство HBM3E запланировано на первую половину текущего года. Samsung Electronics - международная компания-производитель электроники: полупроводников, телекоммуникационного оборудования, чипов памяти, жидкокристаллических дисплеев, мобильных телефонов и мониторов. Штаб-квартира компании находится в Сеуле.
МОСКВА, 27 фев - РИА Новости. Samsung представил новую интегральную микросхему (чип) HBM3E с самым большим объемом емкости памяти в отрасли - в 36 гигабайтов, подходящий для работы с искусственным интеллектом, сообщается в пресс-релизе на официальном сайте компании.
"Компания Samsung представила новый 36-гигабайтный, 12-слойный чип HBM3E самой высокой емкости для искусственного интеллекта", - говорится в сообщении.
Компания уточняет, что первая 12-слойная компоновка сегмента памяти повышает производительность и пропускную способность более чем на 50% относительно существующих сейчас 8-слойных и обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 гигабайтов в секунду.
По оценкам, при использовании такого чипа для мобильных приложений на базе искусственного интеллекта средняя скорость обучения может быть увеличена на 34%, а количество одновременно обращающихся к этим системам пользователей - более чем в 11,5 раз.
Доступ к чату заблокирован за нарушение правил.
Вы сможете вновь принимать участие через: ∞.
Если вы не согласны с блокировкой, воспользуйтесь формой обратной связи
Обсуждение закрыто. Участвовать в дискуссии можно в течение 24 часов после выпуска статьи.
