Рейтинг@Mail.ru
Лавров: Киев пытается саботировать линию США на урегулирование конфликта - 17.09.2025, ПРАЙМ
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Политика
Лавров: Киев пытается саботировать линию США на урегулирование конфликта

Лавров: Киев старается всячески саботировать текущую линию СГА на урегулирование

© РИА Новости . Сергей Гунеев | Перейти в медиабанкВстреча главы МИД РФ С. Лаврова с генсеком ОБСЕ Ф. Синирлиоглу
Встреча главы МИД РФ С. Лаврова с генсеком ОБСЕ Ф. Синирлиоглу - ПРАЙМ, 1920, 17.09.2025
Встреча главы МИД РФ С. Лаврова с генсеком ОБСЕ Ф. Синирлиоглу. Архивное фото
Читать Прайм в
Max Дзен Telegram
МОСКВА, 17 сен – ПРАЙМ. Киев пытается саботировать текущую линию США на урегулирование украинского конфликта, заявил министр иностранных дел РФ Сергей Лавров.
"Мы видим также, что в новой администрации в Вашингтоне тоже понимают необходимость урегулирования кризиса через признание его первопричин и через принятие действий, которые будут устранять эти первопричины... И одновременно мы также видим, как в Киеве эту линию американской администрации пытаются всячески саботировать", - сказал Лавров в ходе посольского круглого стола по украинскому кризису.
Он напомнил, что в августе на Аляске состоялась встреча российского и американского лидеров, где четко проявилось понимание Вашингтоном необходимости устранения первопричин украинского кризиса. Это понимание, заметил Лавров, видно в инициативах, продвигаемых администрацией американского президента Дональда Трампа.
Переговоры Путина и Трампа состоялись на Аляске 15 августа. Встреча лидеров проходила на военной базе Эльмендорф-Ричардсон в Анкоридже.
Встреча главы МИД РФ С. Лаврова и министров иностранных дел стран Сахельской тройки - ПРАЙМ, 1920, 16.09.2025
Россия отходит от термина недружественные страны, заявил Лавров
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала